Основы технологии кремниевых ИС: Окисление, диффузия, эпитаксия

Free Download

Authors:

Size: 5 MB (5204366 bytes)

Pages: 227/227

File format:

Language:

Publishing Year:

Category: Tags: , ,

Бургер Р., Донован Р. (ред.)

Книга посвящена процессам окисления, диффузии и эпитаксии кремния. По существу изложенный материал охватывает основные процессы планарной технологии – наиболее универсальной современной технологии, позволяющей производить любые полупроводниковые приборы от простейшего диода до сложнейших интегральных субсистем. Использованы малоизвестные или не публиковавшиеся ранее данные и сведения из отчетов фирм и докладов на конференциях. Приведено большое количество графиков и поясняющих схем.

Reviews

There are no reviews yet.

Be the first to review “Основы технологии кремниевых ИС: Окисление, диффузия, эпитаксия”
Shopping Cart
Scroll to Top